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產(chǎn)品技術(shù)
Products
碳化硅外延片
所屬分類(lèi)：
產(chǎn)品概述
卓遠半導體生產(chǎn)100mm/150mm碳化硅外延片，具有極佳的均勻性，外延厚度最高可達250um。針對不同規格要求，我們提供一套完整的碳化硅材料外延解決方案。
立即聯(lián)系
碳化硅外延片
碳化硅外延工藝是半導體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)，以碳化硅單晶作為襯底生長(cháng)的外延片主要用于各種分立器件的制作，如肖特基二極管、MOSFET、JEET、BJT、IGBT、晶閘管等。這些器件廣泛應用于光伏逆變器、混合電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能和風(fēng)能發(fā)電、UPS、馬達控制、軌道機車(chē)、輪船和智能電網(wǎng)等系統領(lǐng)域。
技術(shù)參數
*100mm/150mm SiC Epi Wafer
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序號 |
規格/參數 |
4H外延 |
6H外延 |
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01 |
厚度(um) |
11 |
～11 |
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02 |
厚度范圍 |
≤7% |
≤8% |
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03 |
摻雜類(lèi)型 |
N型或半絕緣型 |
N型或半絕緣型 |
|
04 |
摻雜水平(/cm3) |
6E15～8E15 |
6E15～8E15 |
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05 |
摻雜范圍 |
≤13% |
≤13% |
|
06 |
缺陷密度(/cm3) |
≤1.3 |
≤1.3 |
|
07 |
BPD 密度（/cm2) |
≤0.1 |
≤0.1 |
|
08 |
表面粗糙度(nm) |
Ra≤0.3 |
Ra≤0.3 |
*還有其他尺寸(如直徑76.2mm、125mm)可供選擇，也可根據客戶(hù)要求定制
關(guān)鍵詞：
碳化硅外延片
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