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碳化硅晶錠
產(chǎn)品概述
碳化硅晶錠
碳化硅晶錠經(jīng)過(guò)切割、拋光等工藝，加工成單晶襯底材料，可廣泛應用于高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗福射、微波性等電子應用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境，具有不可替代的優(yōu)勢。
技術(shù)參數
|
序號 |
性質(zhì) |
4H晶錠 |
6H晶錠 |
|
01 |
晶格參數 |
a=3.076 |
a=3.073 |
|
02 |
疊層順序 |
ABCB |
ABCACB |
|
03 |
微管缺陷密度 |
3.21 |
3.21 |
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04 |
摩氏硬度 |
～9.2 |
～9.2 |
|
05 |
熱膨脹系數 |
4-5*10-6 |
4-5*10-6 |
|
06 |
折射率@750nm |
no = 2.61 |
no = 2.60 |
|
07 |
介電常數 |
c～9.66 |
c～9.66 |
|
08 |
摻雜類(lèi)型 |
N型或半絕緣型 |
N型或半絕緣型 |
|
09 |
熱導率(w/cm-k@298k) |
a～4.2 |
|
|
10 |
熱導率(w/cm-k@298k) |
a～4.9 |
a～4.6 |
|
11 |
帶隙 |
3.23 |
3.02 |
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12 |
分解電場(chǎng) |
3-5*106 |
3-5*106 |
|
13 |
飽和漂移速度 |
2.0*105 |
2.0*105 |
*還有其他尺寸(2、3英寸，厚度5-10mm或10-15mm)可供選擇，也可根據客戶(hù)要求定制
碳化硅晶錠
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