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碳化硅長(cháng)晶設備

所屬分類(lèi)：

智能裝備

產(chǎn)品概述

卓遠半導體的物理氣相傳輸(PVT）系統是專(zhuān)為碳化硅晶體生長(cháng)而設計?；鞠到y設計是基于線(xiàn)圏感應加熱概念，可以生長(cháng)直徑 6/8英寸的晶錠。

立即聯(lián)系

碳化硅長(cháng)晶設備

Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶體生長(cháng)系統是實(shí)現高質(zhì)量SiC晶體生長(cháng)、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專(zhuān)業(yè)設備。廣泛應用于SiC晶體生長(cháng)、原料合成、晶體熱處理領(lǐng)域。

產(chǎn)品優(yōu)勢

專(zhuān)為電力電子應用而設計

-適用于電力電子應用領(lǐng)域，自動(dòng)化程度高，適合大批量生產(chǎn)

-占用空間小，布局緊湊

-Fab管理軟件解決方案

低耗的線(xiàn)圈設計

-低功耗(穩定控制在約2200°C 12KW)

優(yōu)秀的安全概念

-CE符合性

-不同級別的系統安全組件，確保安全操作

-質(zhì)量測量和擴展的文檔

智能控制系統

- iGOS全自動(dòng)晶體生長(cháng)程序：將圖形化可編程軟件和C+視覺(jué)軟件整合在一起實(shí)現多種制程精確定制，將某些特定的工序優(yōu)化壓縮，從而提高效率。

智能自檢系統

- 業(yè)內首創(chuàng )的PIM 自檢系統 (Pre-inspection Model)：這是一個(gè)生產(chǎn)流程前的系統檢查，避免線(xiàn)路或者相關(guān)器件在生產(chǎn)過(guò)程中出現故障從而延誤長(cháng)晶周期的情況，有效的避免了不必要的制程時(shí)間浪費。

成品品質(zhì)高

成品率屬于國內領(lǐng)先、國際一流水平

-微管缺陷密度<1個(gè)/cm²

-單晶片電阻率達到0.015-0.028Ωcm(符合國際標準)

技術(shù)參數

序號	項目	內容	規格/參數
01	腔體	工作壓力	≈1-900mbar
02	腔體	工作溫度	最高2600°C
03	電源能耗	功率	最大60KW
04	電源能耗	頻率	6-12 kHz
05		尺寸	2000(W)1200(D)2,800(H)mm
06		重量	1,300kg (帶控制柜2000kg)